IXDI602SIA

IXDI602SIA - IXYS Integrated Circuits Division

Número de pieza
IXDI602SIA
Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Breve descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
PMIC - controladores de compuerta
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2777 pcs
Precio de referencia
USD 1.47/pcs
Nuestro precio
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IXDI602SIA Descripción detallada

Número de pieza IXDI602SIA
Estado de la pieza Active
Configuración Impulsada Low-Side
Tipo de canal Independent
Cantidad de controladores 2
Tipo de puerta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje 4.5 V ~ 35 V
Voltaje lógico - VIL, VIH 0.8V, 3V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) 2A, 2A
Tipo de entrada Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) -
Tiempo de subida / bajada (Tipo) 7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
Peso -
País de origen -

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