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Casa › Categorie di Prodotto › Circuiti integrati (CI) › PMIC - Gate driver › IXDI602SIA
IXDI602SIA

IXDI602SIA - IXYS Integrated Circuits Division

Numero di parte
IXDI602SIA
fabbricante
IXYS Integrated Circuits Division
Breve descrizione
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXDI602SIA Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IXDI602SIA.pdf
Categoria
PMIC - Gate driver
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2777 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.47/pcs
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IXDI602SIA Descrizione dettagliata

Numero di parte IXDI602SIA
Stato parte Active
Configurazione guidata Low-Side
Tipo di canale Independent
Numero di driver 2
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura 4.5 V ~ 35 V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) 2A, 2A
Tipo di input Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Peso -
Paese d'origine -

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