IXDI602SIA

IXDI602SIA - IXYS Integrated Circuits Division

Artikelnummer
IXDI602SIA
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXDI602SIA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXDI602SIA.pdf
Kategorie
PMIC - Gate-Treiber
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2777 pcs
Referenzpreis
USD 1.47/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IXDI602SIA

IXDI602SIA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXDI602SIA
Teilstatus Active
Angetriebene Konfiguration Low-Side
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 35 V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A
Eingabetyp Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) -
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IXDI602SIA