GB10SLT12-247D - GeneSiC Semiconductor

номер части	GB10SLT12-247D
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	12A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.9V @ 5A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	50µA @ 1200V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	подробности
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	подробности
GB10SLT12-247D	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D	подробности
GB10SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252	подробности