• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Array › GB10SLT12-247D
GB10SLT12-247D

GB10SLT12-247D - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GB10SLT12-247D
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GB10SLT12-247D Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GB10SLT12-247D.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
487 pcs
Prezzo di riferimento
USD 8.33/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per GB10SLT12-247D

GB10SLT12-247D Descrizione dettagliata

Numero di parte GB10SLT12-247D
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 5A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER GB10SLT12-247D

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
GB10SLT12-214 GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A Dettagli
GB10SLT12-220 GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC Dettagli
GB10SLT12-247D GB10SLT12-247D GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D Dettagli
GB10SLT12-252 GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 Dettagli