| 부품 번호 | GB10SLT12-247D |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류 - 평균 정류 된 (Io) (다이오드 당) | 12A |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.9V @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 50µA @ 1200V |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | 세부 |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | 세부 |
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GB10SLT12-247D | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D | 세부 |
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GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 | 세부 |
