| 品番 | GB10SLT12-247D |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1200V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 12A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.9V @ 5A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 50µA @ 1200V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | 詳細 |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | 詳細 |
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GB10SLT12-247D | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D | 詳細 |
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GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 | 詳細 |
