GB10SLT12-247D - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GB10SLT12-247D
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.9V @ 5A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	50µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Einzelheiten
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Einzelheiten
GB10SLT12-247D	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D	Einzelheiten
GB10SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252	Einzelheiten