GB10SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GB10SLT12-252
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	2V @ 10A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	250µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket	TO-252
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Einzelheiten
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Einzelheiten
GB10SLT12-247D	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D	Einzelheiten
GB10SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252	Einzelheiten