GB10SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GB10SLT12-252
Stato parte	Active
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2V @ 10A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	250µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Dettagli
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Dettagli
GB10SLT12-247D	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D	Dettagli
GB10SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252	Dettagli