GB10SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GB10SLT12-252
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	2V @ 10A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	250µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика	TO-252
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	подробности
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	подробности
GB10SLT12-247D	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D	подробности
GB10SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252	подробности