2N7635-GA - GeneSiC Semiconductor

номер части	2N7635-GA
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	-
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4A (Tc) (165°C)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	324pF @ 35V
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	47W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
Рабочая Температура	-55°C ~ 225°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-257
Упаковка / чехол	TO-257-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	подробности
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	подробности
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	подробности
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	подробности
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	подробности
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности