2N7635-GA - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	2N7635-GA
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4A (Tc) (165°C)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 35V
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
Température de fonctionnement	-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-257
Paquet / cas	TO-257-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Détails
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Détails
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Détails
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Détails
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Détails
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails