2N7000,126 - NXP USA Inc.

Numéro d'article	2N7000,126
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	300mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Détails
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Détails
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Détails
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2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Détails
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails