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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 2N7000,126
2N7000,126

2N7000,126 - NXP USA Inc.

品番
2N7000,126
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2N7000,126 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
2N7000,126.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4148 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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2N7000,126 詳細な説明

品番 2N7000,126
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 300mA (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 40pF @ 10V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 830mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
重量 -
原産国 -

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