2N7000,126 - NXP USA Inc.

номер части	2N7000,126
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	300mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	40pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	830mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	подробности
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	подробности
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	подробности
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	подробности
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	подробности
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности