2N7000BU_T - ON Semiconductor

номер части	2N7000BU_T
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	200mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	50pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	400mW (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	подробности
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	подробности
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	подробности
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	подробности
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	подробности
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	подробности