,TO-226_straightlead.jpg "2N7000 photos")
| номер части | 2N7000 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | - |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Упаковка / чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | подробности |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | подробности |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | подробности |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
