• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные › 2N1016D
2N1016D

2N1016D - Microsemi Corporation

номер части
2N1016D
производитель
Microsemi Corporation
Краткое описание
NPN TRANSISTOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
2N1016D Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
120 pcs
Справочная цена
USD 1351.322/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку 2N1016D

2N1016D Подробное описание

номер части 2N1016D
Статус детали Active
Тип транзистора -
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) -
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic -
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce -
Мощность - макс. -
Частота - переход -
Рабочая Температура -
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ 2N1016D

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
2N1008 2N1008 EXSHINE alloy-junction germanium transistors подробности
2N1008A 2N1008A EXSHINE alloy-junction germanium transistors подробности
2N1008B 2N1008B EXSHINE alloy-junction germanium transistors подробности
2N1011 2N1011 EXSHINE germanium transistors подробности
2N1016B 2N1016B Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR подробности
2N1016C 2N1016C Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR подробности
2N1016D 2N1016D Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR подробности
2N1057 2N1057 EXSHINE alloy-junction germanium transistors подробности
2N107 2N107 EXSHINE alloy-junction germanium transistors подробности
2N1086 2N1086 EXSHINE alloy-junction germanium transistors подробности