| Numéro d'article | 2N1016D |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | - |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Puissance - Max | - |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
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2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Détails |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Détails |
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2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
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2N107 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
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2N1086 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
