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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 2N7000-G
2N7000-G

2N7000-G - Microchip Technology

品番
2N7000-G
メーカー
Microchip Technology
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2N7000-G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1772 pcs
参考価格
USD 0.38/pcs
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2N7000-G 詳細な説明

品番 2N7000-G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200mA (Tj)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 60pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 1W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
重量 -
原産国 -

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