2N7000-G - Microchip Technology

Número de pieza	2N7000-G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Detalles
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Detalles
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Detalles
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Detalles
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Detalles
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles