2N7000-G - Microchip Technology

Numero di parte	2N7000-G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Dettagli
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Dettagli
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Dettagli
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Dettagli
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Dettagli
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli