| 品番 | BS2103F-E2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| チャネルタイプ | Independent |
| ドライバ数 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 10 V ~ 18 V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1V, 2.6V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 60mA, 130mA |
| 入力方式 | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600V |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 200ns, 100ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | 詳細 |
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BS2101F-E2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID | 詳細 |
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BS2103F-E2 | Rohm Semiconductor | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP | 詳細 |
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BS2130F-GE2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE | 詳細 |
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BS21P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM | 詳細 |
