| 品番 | BS2130F-GE2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 出力構成 | Half Bridge (6) |
| アプリケーション | General Purpose |
| インタフェース | Logic |
| 荷重タイプ | Inductive, Capacitive |
| 技術 | Power MOSFET, IGBT |
| Rds On（Typ） | - |
| 電流出力/チャネル | 350mA |
| 電流 - ピーク出力 | - |
| 電圧 - 供給 | 11.5V ~ 20V |
| 電圧 - 負荷 | 600V (Max) |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 特徴 | Bootstrap Circuit |
| フォールトプロテクション | Current Limiting, UVLO |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-SOP |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | 詳細 |
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BS2101F-E2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID | 詳細 |
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BS2103F-E2 | Rohm Semiconductor | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP | 詳細 |
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BS2130F-GE2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE | 詳細 |
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BS21P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM | 詳細 |
