BS2130F-GE2 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	BS2130F-GE2
État de la pièce	Active
Configuration de sortie	Half Bridge (6)
Applications	General Purpose
Interface	Logic
Type de charge	Inductive, Capacitive
La technologie	Power MOSFET, IGBT
Rds sur (Typ)	-
Courant - Sortie / Canal	350mA
Courant - Sortie de crête	-
Tension - Alimentation	11.5V ~ 20V
Tension - Charge	600V (Max)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TA)
Caractéristiques	Bootstrap Circuit
Protection contre les fautes	Current Limiting, UVLO
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur	28-SOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	Détails
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	Détails
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Détails
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	Détails
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	Détails