BS2130F-GE2 - Rohm Semiconductor

Número de pieza	BS2130F-GE2
Estado de la pieza	Active
Configuración de salida	Half Bridge (6)
Aplicaciones	General Purpose
Interfaz	Logic
Tipo de carga	Inductive, Capacitive
Tecnología	Power MOSFET, IGBT
Rds On (Tipo)	-
Corriente - Salida / Canal	350mA
Actual - Salida máxima	-
Suministro de voltaje	11.5V ~ 20V
Voltaje - Carga	600V (Max)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TA)
Caracteristicas	Bootstrap Circuit
Protección contra fallas	Current Limiting, UVLO
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	28-SOP
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	Detalles
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	Detalles
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Detalles
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	Detalles
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	Detalles