BS2100F-E2 - Rohm Semiconductor

Número de pieza	BS2100F-E2
Estado de la pieza	Not For New Designs
Configuración Impulsada	Half-Bridge
Tipo de canal	Independent
Cantidad de controladores	2
Tipo de puerta	N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje	10 V ~ 18 V
Voltaje lógico - VIL, VIH	1V, 2.6V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero)	60mA, 130mA
Tipo de entrada	Non-Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap)	600V
Tiempo de subida / bajada (Tipo)	200ns, 100ns
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	Detalles
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	Detalles
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Detalles
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	Detalles
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	Detalles