BS2103F-E2 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	BS2103F-E2
État de la pièce	Active
Configuration pilotée	Half-Bridge
Type de canal	Independent
Nombre de pilotes	2
Type de porte	IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	10 V ~ 18 V
Tension logique - VIL, VIH	1V, 2.6V
Courant - sortie de crête (source, évier)	60mA, 130mA
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)	600V
Rise / Fall Time (Typ)	200ns, 100ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	Détails
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	Détails
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Détails
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	Détails
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	Détails