BS2103F-E2 Description détaillée
| Numéro d'article |
BS2103F-E2 |
| État de la pièce |
Active |
| Configuration pilotée |
Half-Bridge |
| Type de canal |
Independent |
| Nombre de pilotes |
2 |
| Type de porte |
IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation |
10 V ~ 18 V |
| Tension logique - VIL, VIH |
1V, 2.6V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) |
60mA, 130mA |
| Type d'entrée |
Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) |
600V |
| Rise / Fall Time (Typ) |
200ns, 100ns |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur |
8-SOP |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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