BS2103F-E2 - Rohm Semiconductor

Numero di parte	BS2103F-E2
Stato parte	Active
Configurazione guidata	Half-Bridge
Tipo di canale	Independent
Numero di driver	2
Gate Type	IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura	10 V ~ 18 V
Tensione logica - VIL, VIH	1V, 2.6V
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello)	60mA, 130mA
Tipo di input	Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap)	600V
Rise / Fall Time (Typ)	200ns, 100ns
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	Dettagli
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	Dettagli
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Dettagli
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	Dettagli
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	Dettagli