BS2103F-E2 - Rohm Semiconductor

номер части	BS2103F-E2
Статус детали	Active
Управляемая конфигурация	Half-Bridge
Тип канала	Independent
Количество драйверов	2
Тип ворот	IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка	10 V ~ 18 V
Напряжение логики - VIL, VIH	1V, 2.6V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина)	60mA, 130mA
Тип ввода	Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап)	600V
Время нарастания / падения (Тип)	200ns, 100ns
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	подробности
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	подробности
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	подробности
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	подробности
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	подробности