BS2103F-E2 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	BS2103F-E2
Teilstatus	Active
Angetriebene Konfiguration	Half-Bridge
Kanaltyp	Independent
Anzahl der Treiber	2
Tortyp	IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung	10 V ~ 18 V
Logikspannung - VIL, VIH	1V, 2.6V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke)	60mA, 130mA
Eingabetyp	Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)	600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)	200ns, 100ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BS2100F-E2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET	Einzelheiten
BS2101F-E2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID	Einzelheiten
BS2103F-E2	Rohm Semiconductor	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP	Einzelheiten
BS2130F-GE2	Rohm Semiconductor	600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE	Einzelheiten
BS21P-SHF-1AA(LF)(SN)	JST Sales America Inc.	CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM	Einzelheiten