| 品番 | APT70SM70S |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 700V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 125nC @ 20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 220W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D3Pak |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | 詳細 |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 詳細 |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 詳細 |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 詳細 |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | 詳細 |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 詳細 |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 詳細 |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 詳細 |
