| 品番 | APT70GR65B2SCD30 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 650V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 134A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 260A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| 電力 - 最大 | 595W |
| スイッチングエネルギー | - |
| 入力方式 | - |
| ゲートチャージ | 305nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 19ns/170ns |
| テスト条件 | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | 詳細 |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 詳細 |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 詳細 |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 詳細 |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | 詳細 |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
