| 品番 | APT70GR120L |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 160A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 280A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| 電力 - 最大 | 961W |
| スイッチングエネルギー | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 544nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 33ns/278ns |
| テスト条件 | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | 詳細 |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 詳細 |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 詳細 |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 詳細 |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | 詳細 |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 詳細 |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 詳細 |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 詳細 |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 詳細 |
