| 부품 번호 | APT70GR120L |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | NPT |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 160A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 280A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| 전력 - 최대 | 961W |
| 스위칭 에너지 | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 544nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 33ns/278ns |
| 시험 조건 | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-264 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | 세부 |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 세부 |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 세부 |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 세부 |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | 세부 |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 세부 |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 세부 |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 세부 |
