| 부품 번호 | APT70SM70J |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 700V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 49A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| Vgs (최대) | +25V, -10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 165W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-227 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | 세부 |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 세부 |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | 세부 |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 세부 |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | 세부 |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 세부 |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 세부 |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 세부 |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | 세부 |
