| Artikelnummer | APT70SM70J |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 165W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Einzelheiten |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Einzelheiten |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
