| Artikelnummer | APT70GR120B2 |
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| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 160A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 280A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Leistung max | 961W |
| Energie wechseln | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 544nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 33ns/278ns |
| Testbedingung | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Einzelheiten |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Einzelheiten |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Einzelheiten |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Einzelheiten |
