APT70GR120B2 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT70GR120B2
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	160A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 70A
Puissance - Max	961W
Échange d'énergie	3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	544nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	33ns/278ns
Condition de test	600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT70GR120B2	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO247	Détails
APT70GR120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Détails
APT70GR120JD60	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Détails
APT70GR120L	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO264	Détails
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APT70GR65B2DU40	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Détails
APT70GR65B2SCD30	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Détails
APT70SM70B	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails
APT70SM70J	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails
APT70SM70S	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails