APT70SM70S - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT70SM70S
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	+25V, -10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 32.5A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D3Pak
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT70GR120B2	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO247	Détails
APT70GR120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Détails
APT70GR120JD60	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Détails
APT70GR120L	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO264	Détails
APT70GR65B	Microsemi Corporation	IGBT 650V 134A 595W TO-247	Détails
APT70GR65B2DU40	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Détails
APT70GR65B2SCD30	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Détails
APT70SM70B	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails
APT70SM70J	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails
APT70SM70S	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails