APT70SM70S - Microsemi Corporation

Número de pieza	APT70SM70S
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	65A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	+25V, -10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 32.5A, 20V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D3Pak
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
APT70GR120B2	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO247	Detalles
APT70GR120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Detalles
APT70GR120JD60	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Detalles
APT70GR120L	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO264	Detalles
APT70GR65B	Microsemi Corporation	IGBT 650V 134A 595W TO-247	Detalles
APT70GR65B2DU40	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Detalles
APT70GR65B2SCD30	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Detalles
APT70SM70B	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Detalles
APT70SM70J	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Detalles
APT70SM70S	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Detalles