| Número de pieza | APT70SM70S |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 65A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D3Pak |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Detalles |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Detalles |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Detalles |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Detalles |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Detalles |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Detalles |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Detalles |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Detalles |
