APT70GR65B - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT70GR65B
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	134A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 70A
Puissance - Max	595W
Échange d'énergie	1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	305nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	19ns/170ns
Condition de test	433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT70GR120B2	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO247	Détails
APT70GR120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Détails
APT70GR120JD60	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	Détails
APT70GR120L	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 160A 961W TO264	Détails
APT70GR65B	Microsemi Corporation	IGBT 650V 134A 595W TO-247	Détails
APT70GR65B2DU40	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Détails
APT70GR65B2SCD30	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Détails
APT70SM70B	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails
APT70SM70J	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails
APT70SM70S	Microsemi Corporation	POWER MOSFET - SIC	Détails