| Numéro d'article | APT70SM70B |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Détails |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Détails |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Détails |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Détails |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Détails |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Détails |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Détails |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Détails |
