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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › APT70SM70B
APT70SM70B

APT70SM70B - Microsemi Corporation

品番
APT70SM70B
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
POWER MOSFET - SIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APT70SM70B PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1437 pcs
参考価格
USD 18.116/pcs
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APT70SM70B 詳細な説明

品番 APT70SM70B
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 65A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 20V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 125nC @ 20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） +25V, -10V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 70 mOhm @ 32.5A, 20V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 [B]
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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