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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APT70GR120JD60
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT70GR120JD60
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT70GR120JD60 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
40 pcs
Referenzpreis
USD 38.94/pcs
Unser Preis
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APT70GR120JD60 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT70GR120JD60
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 112A
Leistung max 543W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.26nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4
Lieferantengerätepaket SOT-227
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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