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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APT70GR120JD60
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60 - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT70GR120JD60
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT70GR120JD60 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
40 pcs
Prezzo di riferimento
USD 38.94/pcs
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APT70GR120JD60 Descrizione dettagliata

Numero di parte APT70GR120JD60
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 112A
Potenza - Max 543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A
Corrente - Limite del collettore (max) 1.1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.26nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227
Peso -
Paese d'origine -

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