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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › APT70GR65B2DU40
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40 - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT70GR65B2DU40
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT70GR65B2DU40 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3253 pcs
Prezzo di riferimento
USD 8.2991/pcs
Il nostro prezzo
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APT70GR65B2DU40 Descrizione dettagliata

Numero di parte APT70GR65B2DU40
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 134A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Potenza - Max 595W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 305nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 18ns/170ns
Condizione di test 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Peso -
Paese d'origine -

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