| Numero di parte | APT70GR120J |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 112A |
| Potenza - Max | 543W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Dettagli |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Dettagli |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Dettagli |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Dettagli |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Dettagli |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Dettagli |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Dettagli |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Dettagli |
