| номер части | APT70SM70J |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 700V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 49A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | +25V, -10V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 165W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227 |
| Упаковка / чехол | SOT-227-4, miniBLOC |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | подробности |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | подробности |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | подробности |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | подробности |
|
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | подробности |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
